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您正在设计需要精密电源控制的新一代便携设备吗？DMG1013UW-7正是您理想的解决方案。这颗P沟道MOSFET就像一个高效、敏捷的“电子开关”，能轻松帮您管理高达20V电压、820mA电流的电路通断。其核心价值在于，仅需1.8V的低电压驱动，就能实现极低的导通电阻，显著减少功率损耗，直接为您的产品带来更长的续航时间和更低的发热。

更令人赞叹的是，它将如此强大的开关能力，浓缩于微型的SOT-323封装之中。这让您能在极其有限的空间内，实现复杂的电源路径选择、负载开关或信号隔离功能，完美适用于对尺寸和重量有严苛要求的可穿戴设备、智能手机模块及各种消费电子产品。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、性能更高效、产品更具竞争力的可靠方式。

• 型号:DMG1013UW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):820mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.622 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:59.76 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMG1013UW-7，Diodes产品一站式供应商。