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您正在为寻找一个高效、小巧的电源开关而烦恼吗？让DMG1013UWQ-7来为您解决！这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，是专为要求苛刻的现代电子设备打造的微型功率管理大师。

它能在1.8V的低驱动电压下迅速响应，轻松控制高达20V电压、820mA电流的负载，实现高效的电源通断与路径管理。其卓越的特性低至750毫欧的导通电阻和仅0.62nC的栅极电荷意味着更少的能量损耗和更快的开关速度，直接为您带来更长的电池续航和更优的系统性能。采用超小的SOT-323封装，它能完美融入任何紧凑的设计中，同时凭借AEC-Q101车规认证和-55°C至150°C的宽工作温度范围，确保您的应用无论是在日常消费电子产品还是严苛的汽车电子环境中，都具备出色的可靠性与稳定性。

• 型号:DMG1013UWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):820mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.62 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:59.76 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMG1013UWQ-7，Diodes产品一站式供应商。