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还在为空间有限的PCB板上的电源切换电路发愁吗？DMG1016VQ-13正是为您而来的解决方案。这颗集成了N和P沟道的双MOSFET，能让您轻松实现高效的负载开关与信号路径管理，其逻辑电平门控特性让您可以直接用微处理器驱动，大幅简化设计。

它拥有低至400毫欧的导通电阻和极小的栅极电荷，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接帮助您的设备提升能效，延长续航。无论是用于电池供电设备的电源分配，还是信号电平转换，它都能在SOT-563的超小封装内，为您提供稳定可靠的性能，让您的产品在小型化和高效能之间取得完美平衡。

• 型号:DMG1016VQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):870mA，640mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60.67pF @ 16V
• 功率 - 最大值:530mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMG1016VQ-13，Diodes产品一站式供应商。