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DMG1023UVQ-13 零件图片(仅供参考)

DMG1023UVQ-13
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DMG1023UVQ-13 规格参数

还在为空间有限的电路板寻找高效的负载开关方案吗?DMG1023UVQ-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的双P沟道MOSFET阵列,集成了两个性能一致的开关,让您能轻松实现电源选择、负载通断等关键功能,极大简化您的电路设计。

它拥有低至750毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷,意味着更少的导通损耗和更快的开关速度,让您的系统运行更高效、更节能。其20V的耐压和1.03A的连续电流能力,足以应对多种低压、中电流场景。更重要的是,它符合汽车级AEC-Q101标准,工作温度范围宽达-55°C至150°C,具备出色的可靠性,是汽车电子与高要求工业应用的理想选择。选择它,就是选择了一份稳定与高效。

  • 型号:DMG1023UVQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-563
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.03A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):750 毫欧 @ 430mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):0.622nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):59pF @ 16V
  • 功率 - 最大值:530mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:SOT-563
  • DMG1023UVQ-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMG1023UVQ-13 基本参数:

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