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DMG1024UV-7 零件图片(仅供参考)

DMG1024UV-7
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DMG1024UV-7 规格参数

还在寻找一颗能同时节省空间和功耗的开关解决方案吗?DMG1024UV-7双N沟道MOSFET阵列就是您的理想之选。它将两个逻辑电平驱动的MOSFET集成于微小的SOT-563封装内,让您轻松实现高密度板级设计,同时其低至450毫欧的导通电阻能显著降低导通损耗,提升整体能效。

这颗芯片能为您做什么?它让您能够高效地控制高达1.38A的电流,无论是用于便携设备的负载开关、电源管理,还是电机驱动、LED照明控制,都能游刃有余。其快速的开关特性和宽泛的工作温度范围,确保了在各种应用场景下的可靠性与响应速度,助您打造更紧凑、更高效、更具竞争力的电子产品。

  • 型号:DMG1024UV-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-563
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.38A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):450 毫欧 @ 600mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):0.74nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):60.67pF @ 16V
  • 功率 - 最大值:530mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:SOT-563
  • DMG1024UV-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMG1024UV-7 基本参数:

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