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DMG1026UV-7 零件图片(仅供参考)

DMG1026UV-7
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DMG1026UV-7 规格参数

还在为电路板空间捉襟见肘而发愁吗?DMG1026UV-7就是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列,将两个独立的60V/410mA开关引擎,精巧地集成在微小的SOT-563封装内,专为空间受限的高密度设计而生。

它能让您轻松实现高效的负载开关、信号路径选择与电源管理。其逻辑电平门控(Vgs(th)最大仅1.8V)让您可以直接用微处理器或低电压逻辑电路驱动,简化设计的同时,其极低的导通电阻和输入电容确保了快速的开关响应与最小的功率损耗。无论是便携设备、传感器模块还是复杂的电源系统,选择DMG1026UV-7,就是选择了一种让您的产品更小巧、更高效、更可靠的智能解决方案。

  • 型号:DMG1026UV-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-563
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):410mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.8 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):0.45nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):32pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:580mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:SOT-563
  • DMG1026UV-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMG1026UV-7 基本参数:

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