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DMG1026UVQ-7 零件图片(仅供参考)

DMG1026UVQ-7
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DMG1026UVQ-7 规格参数

还在为电路板空间紧张而烦恼吗?DMG1026UVQ-7为您带来革命性的解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列,采用超紧凑的SOT-563封装,让您在指甲盖大小的面积内获得两个独立的60V/440mA开关通道,轻松实现高密度布局,为您的汽车电子或便携设备设计释放宝贵空间。

它能让您的系统运行更高效、更简单。凭借逻辑电平门控(Vgs(th)低至1.8V)和低至1.8欧姆的导通电阻,您可以直接用微控制器驱动,大幅降低开关损耗和驱动复杂度。其符合AEC-Q101汽车级标准,工作温度范围宽达-55°C至150°C,确保在各种严苛环境下稳定可靠,让您对产品的耐用性和性能充满信心。

  • 型号:DMG1026UVQ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-563
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT563
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):440mA(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.8 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):0.45nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):32pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:650mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:SOT-563
  • DMG1026UVQ-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMG1026UVQ-7 基本参数:

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