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还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起功率切换重任的芯片而四处寻觅吗？DMG1029SV-7正是为您量身打造的解决方案！这颗来自Diodes Incorporated的N沟道与P沟道MOSFET阵列，集双重功效于一身，让您轻松实现高效的电源管理和信号路径控制。

它拥有高达60V的耐压和500mA的电流能力，配合逻辑电平门控和低至1.7欧姆的导通电阻，能显著降低您的系统功耗与发热。其超小的SOT-563封装，堪称空间优化大师，让您的PCB布局前所未有的紧凑与整洁。

无论是用于便携设备的负载开关、电平转换，还是物联网模块的功率控制，DMG1029SV-7都能以卓越的能效和可靠性，助您打造出更精巧、更强大、更具市场竞争力的电子产品。

• 型号:DMG1029SV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA，360mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:30pF @ 25V，25pF @ 25V
• 功率 - 最大值:450mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMG1029SV-7，Diodes产品一站式供应商。