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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的P沟道MOSFET吗？DMG2301L-13正是您的理想之选。它能让您在紧凑的SOT-23封装内，轻松实现高达3A的电流开关控制，并凭借低至120毫欧的导通电阻，显著降低系统功耗与发热。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、敏捷的电力守门员。无论是用于便携设备的负载开关、电源路径管理，还是电池保护电路，它都能确保电力精准、高效地输送。其优化的驱动特性让您能够轻松搭配主流控制器，简化设计流程，加速产品从图纸到量产的每一步。

• 型号:DMG2301L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:476 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG2301L-13，Diodes产品一站式供应商。