我们为全球各个行业提供Diodes DMG2301LK-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间有限的PCB板寻找一颗强效、可靠的负载开关吗？DMG2301LK-7正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET能在1.8V的低驱动电压下高效工作，轻松控制高达2.4A的电流，其卓越的160毫欧低导通电阻，能显著减少功率损耗，直接提升您的终端设备能效与续航时间。

它采用微型SOT-23封装，是便携式设备、智能模块和车载电子系统实现紧凑设计的理想选择。更值得一提的是，它符合汽车级AEC-Q101标准，具备从-55°C到150°C的宽工作温度范围，确保您在严苛环境下也能稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份高效、可靠与安心的保障。

• 型号:DMG2301LK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:840mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG2301LK-7，Diodes产品一站式供应商。