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还在寻找一颗能在紧凑空间内扛起大电流开关重任的P沟道MOSFET吗？DMG2301U-7正是为您而来的解决方案。它拥有20V耐压和2.5A的连续电流能力，凭借低至130毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的便携设备电源管理变得异常轻松。其2.5V的低开启电压，非常适合单节锂电池或3.3V逻辑电平直接驱动，简化了驱动电路设计。同时，超低的栅极电荷确保了快速的开关响应，无论是用于负载开关、电源路径隔离还是电机控制的反向电流保护，都能实现高效精准的控制。

选择DMG2301U-7，意味着您选择了一个在-55°C至150°C全温度范围内都保持稳定性能的可靠伙伴。其微小的SOT-23-3封装，为您节省下每一毫米宝贵的PCB空间，让产品设计更加小巧精致。让它为您的智能穿戴、IoT设备或消费电子注入高效可靠的“芯”动力。

• 型号:DMG2301U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 2.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:608 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG2301U-7，Diodes产品一站式供应商。