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您正在寻找一颗能轻松驾驭2-3安培级负载开关、体积小巧却性能强悍的MOSFET吗？DMG2302UK-13正是您的理想之选。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，采用先进的MOSFET技术，在微型SOT-23封装内集成了卓越的电气特性。

它能为您做什么？它让您能够高效地控制电源通路，其2.8A的连续漏极电流和20V的耐压能力，足以应对大多数便携设备、电源管理和电机驱动的需求。关键是其极低的导通电阻（典型值90mΩ @ 4.5V Vgs）和微小的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，从而提升系统整体效率，并让您的散热设计变得更加轻松。无论是用于DC-DC转换、负载开关还是其他功率切换应用，它都能帮助您实现更紧凑、更可靠且更具成本效益的设计。

• 型号:DMG2302UK-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG2302UK-13，Diodes产品一站式供应商。