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在追求极致能效与紧凑设计的今天，您是否渴望一颗能“小身材，大能量”的功率开关？DMG2302UK-7正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET能在微型SOT-23封装内，轻松承载高达2.8A的连续电流，并以低至90毫欧的导通电阻，显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷让切换速度更快，配合2.5V的低驱动电压，能与主流MCU无缝协作，简化您的电路设计。无论是用于智能设备的负载开关、DC-DC转换，还是便携产品的电源管理，它都能让您以更小的空间占用，实现更稳定、更高效的电能控制，直接提升终端产品的竞争力与可靠性。

• 型号:DMG2302UK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG2302UK-7，Diodes产品一站式供应商。