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DMG2302UKQ-13 零件图片(仅供参考)

DMG2302UKQ-13
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DMG2302UKQ-13 规格参数

还在为寻找一颗既能扛起大电流,又能塞进紧凑空间的可靠开关而烦恼吗?DMG2302UKQ-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您高效、精准地控制高达2.8A的电流通断,其卓越的90毫欧低导通电阻让能量损耗降至最低,直接提升您设备的整体能效和续航时间。

它专为严苛环境而生,拥有汽车级AEC-Q101认证,确保从-55°C到150°C的极端温度下依然稳定如一,让您的产品无论是面对户外严寒还是车内高温都游刃有余。同时,其微小的SOT-23封装和快速的开关特性,让您能轻松优化PCB布局,简化驱动设计,最终以更低的系统成本实现更高性能与可靠性。

  • 型号:DMG2302UKQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T\\u0026R 1
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 3.6A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):2.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):130 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):660mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • DMG2302UKQ-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMG2302UKQ-13 基本参数:

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