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还在为有限的电路板空间和复杂的散热设计头疼吗？DMG2302UKQ-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能在仅2.5V的低驱动电压下高效导通，轻松处理高达2.8A的连续电流，其卓越的90毫欧超低导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用坚固的SOT-23微型封装，却拥有汽车级AEC-Q101的可靠认证，工作温度范围宽达-55°C至150°C。无论是用于电池管理、电机驱动还是负载开关，它都能让您以更小的体积实现更强的性能，大幅简化您的设计挑战，是追求高密度与高可靠性应用的理想选择。

• 型号:DMG2302UKQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T\\u0026R 3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG2302UKQ-7，Diodes产品一站式供应商。