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还在为空间受限的电路板寻找一颗强效“心脏”吗？DMG2302UQ-7正是您期待的答案！这颗N沟道MOSFET能在微型SOT23-3封装内，为您高效控制高达4.2A的电流，轻松应对20V电压场景，是提升便携设备功率密度的理想选择。

它能让您的设计事半功倍。凭借低至90毫欧的导通电阻和仅需2.5V即可有效开启的特性，它能显著降低系统功耗与发热，让能量转换更高效。无论是用于电池保护开关、DC-DC转换器还是电机驱动，它都能确保快速、干净的开关动作，助您打造更节能、更可靠的产品。

• 型号:DMG2302UQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:594.3 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG2302UQ-7，Diodes产品一站式供应商。