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还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的P沟道MOSFET吗？DMG2305UXQ-13正是为您而来的解决方案。它能让您在仅SOT-23的微小空间内，轻松实现高达4.2A的电流开关与控制，其低至52毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

这颗芯片专为优化低压、高电流应用而生。其1.8V的低驱动电压，让您能直接使用常见的微控制器GPIO口进行高效驱动，简化电路设计。无论是用于电源切换、电机控制还是负载管理，它都能提供快速、可靠的响应，助您打造出更紧凑、续航更持久的终端产品。

• 型号:DMG2305UXQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:808 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG2305UXQ-13，Diodes产品一站式供应商。