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还在为复杂的电源开关电路头疼吗？DMG2307L-7这颗P沟道MOSFET，就是为您简化设计、提升效率而生的利器。它让您仅用一颗小巧的SOT-23封装芯片，就能轻松实现高达30V、2.5A的负载开关控制。

得益于其优异的性能参数，如低至90毫欧的导通电阻和仅4.5V的驱动电压，它能显著降低导通损耗，提升整体能效，并可直接由MCU GPIO口驱动，让您的电路板布局更简洁，BOM成本更优化。无论是电池管理、电源路径切换还是电机控制，它都能助您构建更可靠、更高效的解决方案。

• 型号:DMG2307L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:371.3 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG2307L-7，Diodes产品一站式供应商。