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您是否正在寻找一颗能够完美平衡性能、尺寸与功耗的微型开关解决方案？DMG301NU-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET专为低电压、小电流的精密控制场景打造，能让您的设计事半功倍。

它能让您轻松实现高效信号切换与电源管理。凭借仅2.7V的低驱动电压，它可以被大多数微控制器直接驱动，简化电路设计。同时，其低导通电阻和超低的栅极电荷，确保了极低的功率损耗和快速的开关响应，特别适合电池供电的便携设备及需要高速运作的模块，显著提升整体能效与性能。

采用紧凑的SOT-23封装，它为您节省宝贵的电路板空间，助力产品实现更小巧、更集成的设计。无论是智能穿戴、传感器节点还是各类消费电子，DMG301NU-13都能以可靠的品质，成为您项目中高效、稳定的“核心开关”。

• 型号:DMG301NU-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.36 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.9 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG301NU-13，Diodes产品一站式供应商。