我们为全球各个行业提供Diodes DMG301NU-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能完美匹配您紧凑型设计的低电压驱动MOSFET而烦恼吗？DMG301NU-7正是为您而来的解决方案。它能让您轻松实现高效的负载开关和信号路径管理，其低至1.1V的开启电压和仅需2.7V驱动即可获得优异导通性能的特点，让您即使使用低功耗MCU也能得心应手地控制电路通断。

这颗采用SOT-23封装的N沟道MOSFET，集小巧体积与可靠性能于一身。它能在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，确保您的便携设备、传感器模块或物联网终端在各种环境下都表现可靠。选择它，就是为您的产品选择了一颗高效、安静且节省空间的“心脏”，让设计更简洁，让性能更出众。

• 型号:DMG301NU-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.36 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:42 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG301NU-7，Diodes产品一站式供应商。