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您正在设计需要高效电源切换或信号路径管理的电路吗？DMG302PU-13这颗P通道MOSFET，就是为您实现这一目标的理想选择。它能以极低的驱动电压（最低2.7V）轻松响应控制信号，高效地导通或关断高达25V、170mA的负载，让您的系统功耗更低，响应更敏捷。

得益于其出色的性能参数，如10欧姆的低导通电阻和仅0.35nC的栅极电荷，它能显著减少开关损耗和驱动电路的负担。无论是用于便携设备的电源管理，还是精密仪器中的信号切换，它都能确保稳定可靠的运行。其紧凑的SOT-23封装更让您能灵活布局，轻松应对各种空间挑战的设计需求。

• 型号:DMG302PU-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.2 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG302PU-13，Diodes产品一站式供应商。