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您是否希望为您的便携设备或精密控制电路找到一颗“听话”又高效的能量开关？DMG302PU-7正是这样一款专为小电流、高侧开关应用而优化的P沟道MOSFET。它能让您仅用微弱的逻辑信号（最低2.7V驱动电压）就轻松掌控高达25V、170mA的负载通断，彻底简化您的电源管理设计。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效与可靠性。极低的导通电阻和栅极电荷确保了开关过程快速且损耗微小，直接帮助您延长电池寿命。同时，其坚固的SOT-23-3封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），让您的产品无论面对何种环境挑战，都能稳定运行。选择DMG302PU-7，就是选择了一种让设计更简单、让产品更耐用的高效解决方案。

• 型号:DMG302PU-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.2 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG302PU-7，Diodes产品一站式供应商。