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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的P通道MOSFET吗？DMG3401LSNQ-13正是您的理想之选。它能为您高效地控制电源通断，凭借仅50毫欧的超低导通电阻，大幅减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片让您轻松驾驭高达3A的连续电流和30V的电压，其紧凑的SC-59-3表面贴装封装，尤为适合空间受限的现代电子产品设计。无论是用于负载开关、电源转换还是电机驱动，它都能提供稳定可靠的性能，助您快速实现高效、紧凑的电源管理方案。

• 型号:DMG3401LSNQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1326 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3401LSNQ-13，Diodes产品一站式供应商。