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还在为空间受限的设计寻找一颗“小身材、大能量”的开关核心吗？DMG3402L-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能在仅2.5V的低驱动电压下高效导通，以低至52毫欧的导通电阻处理高达4A的连续电流，让您的电源路径损耗大幅降低，系统运行更凉爽、更持久。

它专为追求效率与可靠性的应用而生。无论是快速切换的负载开关、高效的DC-DC转换，还是精密的电机控制，其低栅极电荷和快速开关特性都能让您轻松实现高性能设计。宽达-55°C至150°C的工作结温范围和坚固的SOT-23封装，更确保了它在各种挑战性环境下的稳定表现，是您提升产品竞争力的可靠伙伴。

• 型号:DMG3402L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:464 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3402L-7，Diodes产品一站式供应商。