还在为寻找一颗既强悍又小巧的功率开关而烦恼吗?DMG3404L-7就是您的理想答案!这颗N沟道MOSFET能在您紧凑的电路板空间内,轻松驾驭高达4.2A的连续电流和30V的电压,让您的电源管理设计瞬间变得高效而可靠。
它专为追求极致的您而生。极低的导通电阻(典型值25毫欧@10V)意味着更少的能量损耗和发热,直接提升终端产品的续航与稳定性。其优异的开关特性(低栅极电荷)与宽广的工作温度范围(-55°C至150°C),确保它在从消费电子到工业控制的各类应用中都能表现出色,是您实现高效能、高可靠性设计的秘密武器。
- 型号:DMG3404L-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 5.8A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):13.2 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):641 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):780mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMG3404L-7,Diodes产品一站式供应商。