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还在为寻找一颗既能承受大电流又足够小巧的开关管而费神吗？DMG3406L-13正是为您量身打造的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V耐压与3.6A的连续电流能力，而其导通电阻在10V驱动下仅50毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源管理或电机驱动方案效率更高、发热更少。

它采用业界通用的SOT-23封装，节省板上空间的同时，其4.5V的低驱动门限让您能轻松使用微控制器直接驱动，简化电路设计。无论是用于负载开关、DC-DC转换，还是PWM控制，DMG3406L-13都能以稳定的性能和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的设备在各种环境下高效可靠地运行。

• 型号:DMG3406L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:495 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:770mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3406L-13，Diodes产品一站式供应商。