我们为全球各个行业提供Diodes DMG3407SSN-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间受限的设计寻找高性能的电源开关解决方案吗？DMG3407SSN-7这颗P沟道MOSFET，就是为您量身打造的高效能量控制大师。它能轻松承载高达4A的连续电流，并以低至50毫欧的导通电阻，极大减少功率损耗，直接让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能为您做什么？它让您在各种负载开关、电源管理和电机驱动应用中，实现快速、高效的电路通断控制。其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围，确保您的设计从消费级到工业级都能稳定可靠。选择它，就是选择用更小的体积（SC-59封装），释放更大的性能潜力，让您的产品设计事半功倍。

• 型号:DMG3407SSN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4A SC59
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3407SSN-7，Diodes产品一站式供应商。