我们为全球各个行业提供Diodes DMG3413L-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间有限的PCB板寻找一颗性能强劲的“开关大师”吗？DMG3413L-7正是您期待的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达3A的电流承载能力，却能轻松栖身于微小的SOT-23封装内，完美解决您的空间焦虑。

它的核心魅力在于高效与易用。仅需1.8V的低电压即可驱动，让您在设计低功耗电池应用时更加得心应手。同时，其超低的导通电阻（仅95毫欧@4.5V）意味着更少的能量损耗和发热，直接为您带来更长的设备续航时间和更高的系统可靠性。无论是用于负载开关、电源选择还是电机控制，DMG3413L-7都能让您的设计更简洁、性能更出色。

• 型号:DMG3413L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:857 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3413L-7，Diodes产品一站式供应商。