我们为全球各个行业提供Diodes DMG3414UQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为开关电路的效率瓶颈而困扰吗？DMG3414UQ-13这款N沟道MOSFET，正是为您突破限制而生的利器。它能以低至25毫欧的导通电阻，轻松驾驭4.2A的连续电流，显著降低导通损耗，让您的电源管理或电机驱动应用运行得更凉、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您能够用更小的体积实现更强的功率控制。其SOT-23-3封装节省宝贵空间，同时宽广的-55°C至150°C工作温度范围和汽车级（AEC-Q101）品质，确保它在各种严苛环境中稳定如一。无论是提升便携设备的续航，还是增强工业控制的可靠性，DMG3414UQ-13都是您值得信赖的伙伴。

• 型号:DMG3414UQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 8.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:829.9 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:780mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3414UQ-13，Diodes产品一站式供应商。