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还在为寻找一颗小巧却强力的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMG3415U-7正是您的理想答案。它能在仅1.8V的低电压下高效开启，轻松驾驭高达4A的电流，而其超低的39毫欧导通电阻，能大幅减少开关过程中的能量损耗，直接提升您设备的整体能效和续航时间。

这颗芯片专为空间受限的高性能应用而生。无论是用作便携设备的智能电源开关，还是电池供电系统中的精密控制单元，它都能让您的设计更加紧凑可靠。其宽泛的工作温度范围和SOT-23-3的微型封装，进一步确保了它在各种严苛环境下的稳定表现，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMG3415U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:39 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:294 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3415U-7，Diodes产品一站式供应商。