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您正在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的P沟道MOSFET吗？DMG3415UFY4-7正是为您而来。这颗芯片能为您做什么？它能让您在极其紧凑的DFN2015H4-3封装内，获得高达2.5A的电流开关能力和16V的耐压，轻松实现高效的电源管理和负载控制。

凭借其低至39毫欧的导通电阻和仅需1.8V即可驱动的特性，它能显著降低系统功耗与发热，让您的便携式设备续航更持久，运行更冷静。无论是用于可穿戴设备的电源切换，还是消费电子中的电池保护电路，它都能提供可靠、高效的解决方案，助您轻松打造更小巧、更强大的产品。

• 型号:DMG3415UFY4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DFN2015H4-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:16 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:39 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:281.9 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DFN2015H4-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMG3415UFY4-7，Diodes产品一站式供应商。