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还在为便携设备的电源管理方案寻找一颗既高效又小巧的“心脏”吗？DMG3415UFY4Q-7正是您期待的答案。这颗来自Diodes的P通道MOSFET，拥有16V耐压和2.5A的持续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗。在4.5V驱动下，导通电阻低至39毫欧，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接帮助您延长电池续航，提升整机能效。

它专为空间极度敏感的应用而生。采用先进的X2-DFN2015封装，尺寸仅为2.0mm x 1.5mm，让您在设计超薄手机、TWS耳机充电仓或紧凑型物联网模块时，能轻松节省宝贵的PCB面积。同时，它支持低至1.8V的栅极驱动电压，与现代微控制器无缝对接，简化您的设计难度。

更重要的是，它能在-55°C到150°C的严苛温度范围内稳定工作，确保您的产品在各种环境下都可靠无误。选择DMG3415UFY4Q-7，就是选择了一个让您设计更轻松、产品更高效、性能更可靠的智能功率开关解决方案。

• 型号:DMG3415UFY4Q-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN2015-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:16 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:39 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:282 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:650mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN2015-3
• 封装/外壳:3-XDFN
• DMG3415UFY4Q-7，Diodes产品一站式供应商。