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还在为高压开关应用的效率与可靠性烦恼吗？让DMG3N60SJ3为您带来改变。这颗650V N沟道MOSFET是您实现高效功率管理的得力助手，其2.8A的电流处理能力和优异的低导通电阻特性，能显著降低系统功耗与温升，让您的产品运行更凉爽、更持久。

它专为要求严苛的应用而设计，符合汽车级AEC-Q101标准，确保从消费电子到汽车辅助系统等各种环境下的卓越稳定性。低栅极电荷让驱动设计变得轻松，TO-251封装则提供了出色的散热与安装便利性。选择DMG3N60SJ3，就是选择了一颗能让您设计更省心、性能更出众的功率核心。

• 制造商产品型号：DMG3N60SJ3
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO251
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：Automotive, AEC-Q101
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12.6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：354pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251
• DMG3N60SJ3，Diodes产品一站式供应商。