我们为全球各个行业提供Diodes DMG4466SSS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能平衡性能、效率与尺寸的“全能型”MOSFET吗？DMG4466SSS-13正是为您而来的解决方案。它集30V耐压、10A大电流与低至23毫欧的导通电阻于一身，让您的电源开关和电机驱动电路实现前所未有的高效与“冷静”。

这颗芯片能为您做什么？它凭借其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的设备在各种环境下都能稳定、可靠地运行。其紧凑的8-SOP表面贴装封装，更能让您轻松实现高密度PCB布局，为产品小型化设计腾出宝贵空间。

简而言之，选择DMG4466SSS-13，就是选择用一颗芯片同时攻克效率、散热和空间三大设计难题，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:DMG4466SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:478.9 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.42W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMG4466SSS-13，Diodes产品一站式供应商。