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您是否正在寻找一颗能大幅提升开关效率、让设计更简洁的MOSFET？DMG4466SSSL-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和10A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于低至23毫欧的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源模块或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的8-SO表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间。同时，宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在各种环境下的可靠性。无论是用于负载开关、DC-DC转换还是电池管理，DMG4466SSSL-13都能以卓越的电气性能，让您轻松实现更稳定、更节能的系统设计，全面提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:DMG4466SSSL-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:478.9 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.42W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMG4466SSSL-13，Diodes产品一站式供应商。