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还在为电源效率瓶颈而困扰吗？DMG4468LFG-7就是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您高效地控制电流通断，其超低的15毫欧导通电阻，意味着在开关过程中能量损耗极低，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。

它拥有7.62A的强劲电流处理能力和30V的耐压，轻松应对各种低压大电流场景，如DC-DC转换、电机驱动或负载开关。紧凑的U-DFN3030-8封装为您节省宝贵的电路板空间，同时其优异的散热特性保障了长期稳定运行。选择它，就是选择了一种让设计更简单、性能更卓越的可靠途径。

• 型号:DMG4468LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.62A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:867 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:990mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN3030-8
• 封装/外壳:8-PowerUDFN
• DMG4468LFG-7，Diodes产品一站式供应商。