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还在为功率开关的效率和体积发愁吗？DMG4468LK3-13正是为您排忧解难的得力助手。这颗30V/9.7A的N沟道MOSFET，凭借其低至16毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率更高、发热更少，轻松实现更紧凑、更凉爽的产品设计。

它采用易于生产的TO-252-3封装，宽达-55°C至150°C的工作温度范围确保其在各种环境下稳定运行。无论是提升能效、简化散热，还是增强可靠性，DMG4468LK3-13都能让您的设计脱颖而出，高效达成性能目标。

• 型号:DMG4468LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.95V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:867 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.68W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMG4468LK3-13，Diodes产品一站式供应商。