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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMG4496SSS-13 N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能在30V电压下承载高达10A的连续电流，凭借其极低的导通电阻，显著减少导通损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久，直接将能效提升一个等级。

这颗芯片采用紧凑的8-SOP表面贴装封装，能轻松集成到空间受限的现代电子设备中，从便携式产品到高密度电源模块都游刃有余。其优化的栅极驱动特性让您能够使用标准的逻辑电平轻松控制，简化电路设计。无论是用于电机驱动、负载开关还是DC-DC转换，它都能提供稳定可靠的性能，让您的产品设计更高效、更具竞争力。

• 型号:DMG4496SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:493.5 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.42W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMG4496SSS-13，Diodes产品一站式供应商。