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还在为复杂的电源电路布局而烦恼吗？DMG4511SK4-13是您的集成化解决方案专家。这颗芯片将互补的N沟道和P沟道MOSFET集成于单一封装，为您轻松构建高效的半桥或同步整流电路，大幅简化设计，节省宝贵的PCB空间。

它拥有35V耐压和5.3A的持续电流能力，配合低至35毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。其逻辑电平门驱动和快速的开关特性，让您能够高效地控制电机、管理电源路径，实现精准的功率分配。选择它，就是选择了一条通往更紧凑、更可靠、更高性能产品设计的捷径。

• 型号:DMG4511SK4-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-4L
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道，共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:35V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A，5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.54W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
• 供应商器件封装:TO-252-4L
• DMG4511SK4-13，Diodes产品一站式供应商。