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还在为电源转换效率不高、设备发热严重而烦恼吗？DMG4800LFG-7正是您期待的解决方案。这颗高性能N沟道MOSFET，能轻松驾驭高达7.44A的连续电流和30V电压，其核心魅力在于仅17毫欧的超低导通电阻，能大幅降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久，直接将电能高效转化为产品性能。

它专为追求极致的您设计。4.5V的低驱动门槛让电路设计变得简单，而超低的栅极电荷确保了迅猛的开关响应，特别适合高频DC-DC转换和电机驱动场景。采用先进的U-DFN3030-8微型封装，为您节省每一寸宝贵的电路板空间，助力产品实现更轻薄、更紧凑的工业设计。选择DMG4800LFG-7，就是为您的项目注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMG4800LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.44A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.47 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:798 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN3030-8
• 封装/外壳:8-PowerUDFN
• DMG4800LFG-7，Diodes产品一站式供应商。