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还在为开关电路的效率瓶颈而困扰吗？DMG4800LSD-13双N沟道MOSFET阵列，正是为您突破这一限制而生的利器。它集成了两个高性能的N沟道MOSFET，凭借仅16毫欧的超低导通电阻和高达7.5A的电流承载能力，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片的逻辑电平门设计，让您可以直接使用常见的3.3V或5V微控制器信号轻松驱动，无需额外电平转换电路，极大地简化了您的设计并加快了响应速度。其紧凑的8-SOIC表面贴装封装，非常适合空间受限的现代电子设备，帮助您轻松实现高功率密度与高可靠性的完美平衡。

• 型号:DMG4800LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.56nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:798pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.17W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMG4800LSD-13，Diodes产品一站式供应商。