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DMG4800LSDQ-13 零件图片（仅供参考）

DMG4800LSDQ-13
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DMG4800LSDQ-13 规格参数

  • 型号:DMG4800LSDQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 9A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.56nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:798pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:1.17W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOP
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DMG4800LSDQ-13 基本参数：

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