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DMG4822SSDQ-13 零件图片(仅供参考)

DMG4822SSDQ-13
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DMG4822SSDQ-13 规格参数

还在寻找一颗能同时兼顾高功率处理能力与极致效率的双通道开关解决方案吗?DMG4822SSDQ-13正是为您而来的答案。这颗双N沟道MOSFET阵列,凭借其30V耐压和10A的持续电流能力,让您能轻松驾驭电机驱动、负载开关等高要求任务,而低至21毫欧的导通电阻则确保能量损耗最小化,直接提升系统整体能效。

更值得一提的是,它拥有AEC-Q101车规级认证,从-55°C到150°C的宽广工作温度范围,赋予其应对汽车及工业严苛环境的卓越可靠性。其紧凑的SO-8封装为您节省宝贵的电路板空间,让设计更灵活、产品更小巧。选择DMG4822SSDQ-13,就是选择了一个高效、可靠且节省空间的强大动力核心,助您的产品在性能竞赛中脱颖而出。

  • 型号:DMG4822SSDQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):21 毫欧 @ 8.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):478.9pF @ 16V
  • 功率 - 最大值:1.42W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • DMG4822SSDQ-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMG4822SSDQ-13 基本参数:

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