我们为全球各个行业提供Diodes DMG4N60SCT现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压开关应用的效率瓶颈烦恼吗？让DMG4N60SCT为您开启高效节能的新篇章！这颗N沟道MOSFET是您实现精准功率控制的得力助手，其600V的漏源电压和4.5A的连续电流能力，让您在设计开关电源、PFC电路或电机驱动时底气十足。

它凭借出色的低导通电阻（仅2.5欧姆@10V）和优化的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，从而提升整体系统效率，让您的设备运行更凉爽、更持久。经典的TO-220AB封装确保了强大的散热性能，轻松应对高功率场景。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的可靠与高效。

• 型号:DMG4N60SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:532 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:113W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMG4N60SCT，Diodes产品一站式供应商。