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还在为中小功率开关电源寻找那颗可靠、高效的“心脏”吗？DMG4N60SJ3 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它集600V高耐压、3A电流承载能力和2.5欧姆低导通电阻于一身，专门为您优化电源系统的效率与可靠性。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的反激式转换器、LED驱动器或家电辅助电源轻松实现高效的能量转换。其快速的开关特性有助于降低损耗，而TO-251封装则提供了良好的散热路径，确保系统在-55°C至150°C的广泛温度范围内稳定工作。选择它，就是为您的设计注入一份经久耐用的动力。

• 型号:DMG4N60SJ3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:532 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• DMG4N60SJ3，Diodes产品一站式供应商。