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您正在寻找一颗能轻松驾驭650V高压、高效完成功率开关任务的“核心引擎”吗？DMG4N65CT正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有4A的连续电流处理能力，配合仅10V的驱动电压和优化的动态参数，让您的电源或电机控制设计不仅开关迅速、损耗更低，更能实现整体系统的高效与稳定。

它采用坚固的TO-220-3通孔封装，散热性能优异，能在-55°C到150°C的严酷温度范围内可靠工作。无论是用于AC-DC转换、照明驱动还是工业控制，DMG4N65CT都能以其卓越的高压性能和可靠性，让您的产品设计更从容，性能表现更出众。

• 型号:DMG4N65CT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.19W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMG4N65CT，Diodes产品一站式供应商。