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您正在寻找一颗能扛起高压开关重任、同时保持高效简洁的MOSFET吗？DMG4N65CTI正是为您而来的实力派选手。它拥有650V的坚固防线和4A的充沛电流输送能力，让您在设计AC-DC电源、电机驱动或PFC电路时，面对高压环境依然信心十足，轻松实现高效稳定的功率转换。

这颗芯片的精妙之处在于，它通过优化的10V驱动电压和仅3欧姆的低导通电阻，大幅降低了开关损耗和导通损耗，直接为您提升系统能效。同时，其出色的热性能（8.35W功耗）和宽广的工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能持续稳定运行，有效延长产品寿命。选择DMG4N65CTI，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效，让您的产品核心更加稳健有力。

• 型号:DMG4N65CTI
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:ITO-220AB
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:8.35W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:ITO-220AB
• 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
• DMG4N65CTI，Diodes产品一站式供应商。