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还在寻找一颗能同时解决空间紧张与效率瓶颈的功率开关方案吗？DMG5802LFX-7双N沟道MOSFET阵列就是您的理想答案。它集成了两个逻辑电平驱动的MOSFET，让您仅用一颗芯片就能轻松实现高效的负载切换、电机驱动或电源管理功能，极大简化了电路布局。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的性能密度。仅15毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，其微小的6-DFN封装为您节省了宝贵的PCB空间，非常适合用于便携式设备、消费电子及紧凑型工业模块中，帮助您打造更小巧、更强大的产品。

• 型号:DMG5802LFX-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:W-DFN5020-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:24V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1066.4pF @ 15V
• 功率 - 最大值:980mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-VFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:W-DFN5020-6
• DMG5802LFX-7，Diodes产品一站式供应商。