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还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的功率开关解决方案吗？DMG6402LDM-7 N沟道MOSFET正是为您而来。它拥有30V的耐压和高达5.3A的连续电流处理能力，却能将导通电阻控制在极低的27毫欧，这意味着它能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源设计更高效、更凉爽。

这颗芯片采用先进的MOSFET技术，具备快速的开关响应和低栅极电荷，特别适合高频开关应用。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和紧凑的SOT-26表面贴装封装，让您能够轻松应对各种严苛环境与空间受限的设计挑战，是实现高密度、高可靠性电路板的得力助手。

• 型号:DMG6402LDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:404 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.12W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• DMG6402LDM-7，Diodes产品一站式供应商。