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您正在寻找一颗能同时搞定高效电源切换和节省电路板空间的“全能选手”吗？DMG6402LVT-7正是为此而生。这颗30V/6A的N沟道MOSFET，凭借低至30毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它让您轻松驱动，仅需4.5V栅极电压即可实现优异性能，完美匹配现代低压微处理器。同时，其极低的栅极电荷确保了超快的开关速度，非常适合高频开关电源、电机驱动和负载开关应用，能大幅提升系统整体效率与响应速度。

采用微型TSOT-26封装，它在提供强大电流处理能力的同时，为您节省下宝贵的PCB面积，是空间受限的便携式、高密度设计的理想选择。选择DMG6402LVT-7，就是为您的设计注入高效与紧凑的双重优势。

• 型号:DMG6402LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:498 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.75W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMG6402LVT-7，Diodes产品一站式供应商。